S19-Wk4: Data-sheet for NPN and PNP Transistor measurements


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Imágen editada en gridart

Hola estimados steemians de esta nueva academia en esta semana a pesar de parecer unas tareas faciles las cuales no son así ya que hay que leer mucho de cada uno de los componentes que investigamos es algo complejo por su similitud y para conocer hay que estudiar de eso estoy seguro he puesto mucho empeño en terminar esta publicación me tomo 3 dias y medio completar esta publicación como les dije hay mucho que entender y a veces el tiempo disponible para trabajar en Steemit es corto pero en fin aqui les comparto mi participación espero haber cumplido con las espectativas.

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Tarea 1: Encuentre la hoja de datos para las siguientes nomenclaturas.

Irfz24A (To-220AB)

Este componente tipo MOSFET con polaridad de transistor N.

MOSFET cuyas siglas significan:
(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)

Características de los MOSFETS:

  • Máxima tensión drenador-fuente.

  • Máxima corriente de drenador.

  • Resistencia en conducción.

  • Usado para amplificar señales electrónicas.

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Fuente

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N5551 (TO-220)

Transistor 2N551, tipo NPN (Negativo-Positivo-Negativo) estas siglas nos indican que la corriente fluye desde el Emisor hacia el Colector cuando el voltaje positivo es aplicado en la Base.

Este transistor es muy usado debido a su versatilidad y su capacidad de amplificar las señales y conmutar corriente de baja potencia.

Características:

  • Amplificación de señales en circuitos de baja potencia.

  • Conmutación de corriente en circuitos de control.

  • Diseño de amplificadores de audio y etapas de preamplificación.

  • Componente básico en proyectos de electrónica y prototipado.

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Fuente

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Entre las diferencias mas resaltantes según todo lo investigado son:

  • El irfz24a MOSFET esta diseñado para manejar altos potencias, mientras que el N5551 esta diseñado para manejar baja potencia.

  • Los MOSFET tienen mas tolerancia al calor comparados con los transistores N5551.

  • Los N5551 suelen ser mas rápidos por la baja capacitancia del pin de control que poseen con respecto a los MOSFET que por tener alta impedancia de entrada los hace menos rápido.

  • Los MOSFET permiten una señal mas limpia de ruidos con respecto al N5551.

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Tarea 2: Encuentre la hoja de datos para los siguientes transistores.

MJE13003

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Fuente

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PHE 13003C

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Tip41

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¿Indica cuál de estos transistores puede servir como reemplazos entre sí y por qué?

Después de haber leido las carácteristicas de cada componente puede concluir que los componentes MJE13003 (NPN) y el PHE13003C (NPN) se pondrían reemplazar entre ellos tienen mucha similitud en sus características. En cuanto al TIP41 es de la familia (NPN)y posee algunas características diferentes a los 2 anteriores las cuales no lo hace tan compatible para reemplazo.

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Localizar NPN o PNP escriba el transistor en casa, identifique sus patas como se explica en la clase y realice las 3 mediciones. Determine si el transistor está en buenas condiciones o no.

Para esta última tarea compre un Transistor igual al del ejemplo (MJE13007 NPN) de la publicación por un costo de 2.5$, a continuación les muestro los pasos realizados.

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  • 1era imágen, una vez que identifique las características del Transistor realice el dibujo para empezar las pruebas, pero antes verifique el funcionamiento de mí multímetro.

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  • 2da imágen, coloque la punta color negra en el terminal 1 correspondiente a la Base se puede observar que no hubo lectura, esto nos indica la importancia de la polaridad.

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  • 3era imágen, aqui colocando la punta del multímetro correctamente rojo + en el terminal 1 (Base) con respecto a la terminal 2 (Colector), 1-2 (B-C) teniendo como resultado una lectura de (.592).

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  • 4ta imágen, en esta prueba movi la punta color negro a la terminal 3 (Emisor) para hacer la medición de los terminales 1-3 (B-C) teniendo como resultado una lectura de (.624).

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  • 5ta imágen, en esta prueba movi la punta roja al terminal 2, para tener la lectura entre los terminales 2-3 (C-E) teniendo como resultado ninguna lectura (.OL).

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  • 6ta imágen, en la última imagen estan los resultados obtenidos en la prueba del Transistor MJE13007 (NPN).

Resumen: Los resultados obtenidos han sido satisfactorios teniendo un Transistor en buenas condiciones.

Antes finalizar invito a mis amigos @luisx, @chucho27, @yffmora.

Las fotos que no poseen fuente en el pie son de mi autoria tomadas con mi celular.

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